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英文名：CVD石墨烯膜 单层 1片 CVD graphene film, single layer, 1 piece
品牌：舜纳医工 SUNΛ Med-Engineering
规格：11mmx11mm，GaAs基底 / 2英寸 全覆盖石墨烯膜 / 6mmx6mm，硅基底
产品说明：详见商品信息表
产地：上海
◆ 商品信息
| 产品中文名称 | 定制CVD石墨烯膜 XF274 10种单层 1片 |
| 舜纳货号 | SN-M-GE112 |
| CAS / 材料编号 | 待核 |
| 规格数量 | 10 个规格（价格见本页「规格／价格」表） |
| 材质形态 | 膜/纸 |
| 包装与保存 | 密封、干燥、避光（分散液避冻避热）；具体以规格表与 COA 为准 |
| 随货文件 | COA（纯度 / 比表面积 / 粒径或管径 / 石墨化程度 / 金属残留 等表征结论） |
| 材质体系 | CVD 单层石墨烯（层数以批次 Raman 判定为准）＋目标基底/柔性载体 |
| 规格与包装（每片 1 件，10 种可选） | 11×11 mm GaAs 基底；6×6 mm 硅基底；5×5 mm/3×3 cm/5×5 cm 氧化硅基底；2×2 cm 石英基底；3.7×2.5 cm 硅基底；2 英寸/4 英寸全覆盖转移膜；一步转移柔性薄膜 |
| 单层光学判据 | 透射吸收约 2.3%/层（可见区，理论常数级） |
| 面电阻 / 迁移率 | 转移膜典型数百–数千 Ω/sq、10³ cm²/(V·s) 量级（以随货/实测为准） |
| 转移状态 | 带保护层即用型交付（按所选规格） |
| 储存条件 | 洁净干燥盒、常温避尘；避免表面触摸与摩擦；建议到样尽快使用（表面吸附随时间漂移） |
| 运输条件 | 防刮卡槽＋防震包装，片级样品硬盒 |
| 使用提示 | 低功率 Raman 复验后再进工艺；氧化硅基底确认氧化层厚度与背栅设计匹配 |
| 定制口径 | 基底材质、尺寸、层数档位可按需协商（ ） |
| 生物活性 / 功能定位 | 器件级起始材料——FET/透明电极/光电集成/表面传感 |
| 规格明细（共10项：规格｜货号｜价格） | 11mmx11mm，GaAs基底｜SN-M-GE112-s1｜1995 RMB 2英寸 全覆盖石墨烯膜｜SN-M-GE112-s2｜3990 RMB 6mmx6mm，硅基底｜SN-M-GE112-s3｜1282 RMB 5mmx5mm，氧化硅基底｜SN-M-GE112-s4｜1140 RMB 2cmx2cm，石英基底｜SN-M-GE112-s5｜2494 RMB 3.7cmx2.5cm硅基底｜SN-M-GE112-s6｜3848 RMB 3cmx3cm 氧化硅基底｜SN-M-GE112-s7｜2992 RMB 一步转移石墨烯薄膜｜SN-M-GE112-s8｜4988 RMB 4英寸 全覆盖石墨烯膜｜SN-M-GE112-s9｜8550 RMB 5cmx5cm，氧化硅基底｜SN-M-GE112-s10｜3990 RMB |
| 生物功能 | 如实定位：本品主战场是器件与表面科学，生物方向是“表面接触式”研究，与分散液路线（GO/纳米片）是两套体系，不要互相套用结论。 体外（表面式）：切割成小片的氧化硅/石英基底膜可直接入 24/96 孔板做细胞贴附研究——石墨烯表面的疏水与 π 界面影响黏附，常以含阳离子聚合物（如 PEI 类）预处理促进贴壁，终点取 CCK-8/结晶紫与活死染色形貌，对照设裸 SiO₂ 与培养板；电化学生物传感方向，膜电极可做 DA/AA/葡萄糖（酶镀层后）的平面电极检测；石墨烯场效应管（GFET）无标记电检测受德拜长度制约——高盐缓冲会屏蔽电荷信号，样本稀释与低离子强度缓冲是设计核心（终点：Dirac 点电压漂移-浓度曲线）。 体内：晶圆/片状膜不属于可注射形态；植入式器件（神经电极涂层等）研究须做专门的生物相容性与封装验证并过伦理审批。 器件/非生物：FET 与透明导电原型、气体/湿度传感（表面吸附导致的掺杂响应正是传感机制）、光电探测与 GaAs 异质集成、超电容与加热膜——这一侧的边界只受转移与工艺水平限制。 |
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备注：本品为科研试剂，仅限于科学研究使用，绝对禁止用于人体或临床相关用途；严禁用于任何临床诊断或治疗；操作时须遵循实验室安全规范，佩戴个人防护装备并在受控环境中进行；注意防范潜在的健康风险；建议由具备相关专业经验的人员操作，并完整阅读随附技术文件。
