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CVD氧化硅基底石墨烯 4英寸
疾病-医工文献检索

品名:CVD氧化硅基底石墨烯 4英寸

品牌:舜纳医工 SUNΛ Med-Engineering
产品全称:CVD氧化硅基底石墨烯 4英寸 CVD graphene on silicon oxide substrate, 4 inch
货号 规格 价格 采购&服务价RMB
SN-M-GE113-s1 1 片 单层 7773 7773
SN-M-GE113-s2 1 片 双层 9068 9068
SN-M-GE113-s3 1 片 3-5层 9068 9068
SN-M-GE113-s4 1 片 6-8层 9068 9068
SN-M-GE113-s5 1片 10-15层 9068 9068
英文名:CVD氧化硅基底石墨烯 4英寸 CVD graphene on silicon oxide substrate, 4 inch
品牌:舜纳医工 SUNΛ Med-Engineering
规格:1 片 单层 / 1 片 双层 / 1 片 3-5层
产品说明:详见商品信息表
产地:上海

◆ 商品信息

产品中文名称ACS Material CVD氧化硅基底石墨烯 4英寸 XF389
舜纳货号SN-M-GE113
CAS / 材料编号待核
规格数量5 个规格(价格见本页「规格/价格」表)
材质形态膜/纸
包装与保存密封、干燥、避光(分散液避冻避热);具体以规格表与 COA 为准
随货文件COA(纯度 / 比表面积 / 粒径或管径 / 石墨化程度 / 金属残留 等表征结论)
材质体系CVD 石墨烯+SiO₂/Si 晶圆(Si 为重掺杂背栅)
晶圆尺寸4 英寸(约 100 mm)
层数档位单层 / 双层 / 3–5 层 / 6–8 层 / 10–15 层(1 片/规格,随货 Raman 判定)
氧化层光学衬度厚度设计(约 280–300 nm 量级,以随货说明为准)
性状灰色至暗灰色光泽,显微镜下可见 flakes 衬度与褶皱
面电阻层数越高越低(单层千 Ω/sq 量级、厚层可低至百级,以实测为准)
光学每层吸收约 2.3%(可见区常数级)
储存条件洁净盒、干燥常温;避免触摸与摩擦表面;建议到样尽快使用(环境吸附漂移)
运输条件晶圆盒防震直立运输,极端高温季避免长时间滞留
使用提示低功率 Raman 验收先行;划片/裂片参数先废片验证;背栅电容以名义氧化厚核算
生物活性 / 功能定位器件工艺起始材料——FET、传感、透明导电、光学与集成原型
生物功能如实定位:本品是器件/晶圆材料,生物方向以“表面接触式”研究为主,其证据链不能与分散态 GO/纳米片互相套用。 体外(表面式):晶圆划片后小片入孔板做细胞贴附/形态研究(常需表面亲水化或阳离子聚合物预处理以支持贴壁;终点取活死染色与 CCK-8,对照必须含裸 SiO₂ 同面积);平面电极电化学检测(DA/AA/尿酸族小分子、酶镀层后测葡萄糖);石墨烯 FET/氧化石墨烯晶体管方向做无标记电传感——关键约束是德拜长度:高离子强度生理液屏蔽表面电荷信号,样本需低盐缓冲稀释或改用低频/电化学门控方案(终点:Dirac 电压漂移-浓度标定曲线);SERS 方向可与贵金属纳米结构组合成晶圆级增强基底。晶圆材料的另一优势是几何一致性:同批划片尺寸、氧化层厚度与表面态全部相同,适合多孔板平行的重复批次设计;做 GFET 电传感时建议同时报告缓冲液电导与德拜长度估算,方便与文献中 GO 基晶体管的灵敏度横向对齐而不是各行其是。 体内:晶圆与小片不属于可注射/植入交付形态;若做植入电极材料研究,需专门的封装、相容性与伦理链条。 器件/非生物:背栅 FET 库、湿度/气体传感(吸附掺杂即信号机制)、透明导电与加热膜、光学限幅与偏振片探索、互连与屏蔽原型——这是本品的能力边界最宽一侧。

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备注:本品为科研试剂,仅限于科学研究使用,绝对禁止用于人体或临床相关用途;严禁用于任何临床诊断或治疗;操作时须遵循实验室安全规范,佩戴个人防护装备并在受控环境中进行;注意防范潜在的健康风险;建议由具备相关专业经验的人员操作,并完整阅读随附技术文件。

CVD氧化硅基底石墨烯 4英寸

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